Рамус
Создание оптоэлектронных структур
О нас
Мы — команда специалистов, разрабатывающая передовые технологии синтеза наноструктур для инфракрасных газочувствительных сенсоров и иных приборов оптоэлектроники. Наша экспертиза включает полный цикл создания продуктов: от фундаментальных исследований и выращивания материалов до испытаний прототипов
О продукте
Продукт сочетает в себе уникальные решения в области выращивания буферных слоёв и полный контроль над процессом синтеза. Это гарантирует превосходное качество и воспроизводимость характеристик, недостижимые при использовании стандартных подходов
Наш продукт —
это готовые инфракрасные датчики на основе гетероструктур InN/GaN/AlN/Si, характеризующиеся высокой чувствительностью (от 1.3 ppm) и стабильным сигналом. Они совместимы с КМОП-технологиями, что упрощает их интеграцию в существующие электронные системы
Особенности технологии
Мы используем двустадийный метод молекулярно-пучковой эпитаксии с предварительным формированием буферных слоёв AlN на кремнии. Это обеспечивает рост массивов нитевидных нанокристаллов InN/GaN с контролируемой морфологией и рекордно низкой шероховатостью (<0.5 нм)
Описание технологий
Мы используем двустадийный метод молекулярно-пучковой эпитаксии с предварительным формированием буферных слоёв AlN на кремнии. Это обеспечивает рост массивов наноколонок InN с контролируемой морфологией и рекордно низкой шероховатостью (<0.5 нм)
Области применения
Технология предназначена для создания высокочувствительных газоаналитических сенсоров, используемых в промышленности, экологическом мониторинге и лабораторных исследованиях. Она позволяет детектировать низкие концентрации аммиака (NH₃) или углекислого газа (CO₂) в реальном времени
  • Инфракрасные
    датчики
    для использования в системах безопасности, дистанционном управлении и измерениях
  • Светодиоды, лазеры
    для индикации и освещения, лазеры - для высокоскоростной передачи большого массива данных
  • Оптические транзисторы
    для создания сверхбыстрых процессоров в фотонных компьютерах и управления потоками данных
Спонсорские фонды
Создано при поддержке Фонда Содействия Инновациям в рамках федерального проекта «Платформа университетского технологического предпринимательства»
Для связи с нами
Телефон: +79875881961
Электронная почта: ramusdautov@yandex.ru
Адрес
Общество с ограниченной ответственностью «Рамус»,
ИНН 0261069913, 453200,
Республика Башкортостан, м.р-н Ишимбайский, г.п. Город Ишимбай, г Ишимбай, пр-кт Ленина, дом 58
Made on
Tilda